IGB01N120H2

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IGB01N120H2参数资料

• 电子元器件
• 参数资料

• IGB01N120H2
• 功能描述：IGBT 晶体管 HIGH SPEED 2 TECH 1200V 1A；RoHS：否；制造商：Fairchild Semiconductor；配置：；集电极—发射极最大电压 VCEO：650 V；集电极—射极饱和电压：2.3 V；栅极/发射极最大电压：20 V；在25 C的连续集电极电流：150 A；栅极—射极漏泄电流：400 nA；功率耗散：187 W；最大工作温度：；封装 / 箱体：TO-247；封装：Tube；

IGB01N120H2供应商

• 电子元器件
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• 封装
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• 深圳市硅宇电子有限公司
• 唐先生
  13424293654
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• TO-263
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• 8000

• IGB01N120H2
• 深圳市晶美隆科技有限公司
• 李林
  0755-82519391
• INFINEON
• P-TO263-3-2
• 14+
• 9531

• IGB01N120H2
• 深圳市海天鸿电子科技有限公司
• 彭小姐、刘先生、李小姐
  0755-82552857-809
• INF
• Tape&Reel
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• 7500

• IGB01N120H2
• 深圳市中平科技有限公司
• 赖先生
  0755-83946385
• INFINEON
• P-TO263-3-2
• 15+
• 3550000

• IGB01N120H2
• 北京京北通宇电子元件有限公司
• 张
  18724450645
• INFINEON
• 14+
• 25000

• IGB01N120H2
• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售部经理：马先生
  0755-83350789
• Infineon Technologies
• PG-TO263-3-2
• 15+
• 25000

• IGB01N120H2
• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售经理：马先生
  0755-83350789
• INFINEON
• 1213+
• 8100

• IGB01N120H2
• 科创特电子（香港）有限公司
• 柯
  0755-83014603
• INFINEON
• TO-263
• 2006
• 6480

• IGB01N120H2
• 
  
• INFINEON
• TO-263
• 最新批次
• 112380

• IGB01N120H2
• 深圳市硅宇电子有限公司
• 唐中秋/张三军
  0755-83679764-815
• Infineon
• TO-263
• 0601+
• 2000