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>> IKB10N60T(低损耗DuoPack:IGBT在海沟和场终止技术和软,恢复快反并联EMCON HE二极管)
IKB10N60T中文资料
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IKB10N60T
低损耗DuoPack:IGBT在海沟和场终止技术和软,恢复快反并联EMCON HE二极管
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低损耗DuoPack:IGBT在海沟和场终止技术和软,恢复快反并联EMCON HE二极管
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IKD03N60RF
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IKI04N60T
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INFINEON
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IKP01N120H2
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IKB10N60T参数资料
电子元器件
参数资料
IKB10N60T
功能描述:IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 10A;RoHS:否;制造商:Fairchild Semiconductor;配置:;集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V;集电极—射极饱和电压:2.3 V;栅极/发射极最大电压:20 V;在25 C的连续集电极电流:150 A;栅极—射极漏泄电流:400 nA;功率耗散:187 W;最大工作温度:;封装 / 箱体:TO-247;封装:Tube;
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北京京北通宇电子元件有限公司
张
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北京京北通宇电子元件有限公司
王
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inf
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2013
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IKB10N60T
深圳市中平科技有限公司
赖先生
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INFINEON
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IKB10N60T
深圳市新良宇电子有限公司
李先生
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Infineon Technologies
IGBT 600V 20A 110W TO263-3
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销售部经理:马先生
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深圳市兴合盛科技发展有限公司
销售经理:马先生
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INFINEON
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SOT-263
0939+
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深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
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13428937514
inf
dc08
2395
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深圳市创域兴泰电子科技有限公司
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