买卖IC网 >> 中文资料第24605页 >> IKB10N60T(低损耗DuoPack:IGBT在海沟和场终止技术和软,恢复快反并联EMCON HE二极管)

IKB10N60T中文资料

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IKB10N60T参数资料

  • 电子元器件
  • 参数资料
  • IKB10N60T
  • 功能描述:IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 10A;RoHS:否;制造商:Fairchild Semiconductor;配置:;集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V;集电极—射极饱和电压:2.3 V;栅极/发射极最大电压:20 V;在25 C的连续集电极电流:150 A;栅极—射极漏泄电流:400 nA;功率耗散:187 W;最大工作温度:;封装 / 箱体:TO-247;封装:Tube;

IKB10N60T供应商

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  • 封装
  • 批号
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  • 深圳市晶美隆科技有限公司
  • 李林
    0755-82519391
  • INFINEON
  • P-TO-263-3-2
  • 14+
  • 9531
  • IKB10N60T
  • 北京京北通宇电子元件有限公司

  • 18724450645
  • INFINEON
  • 14+
  • 25000
  • IKB10N60T
  • 北京京北通宇电子元件有限公司

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  • inf
  • 原厂标准封装
  • 2013
  • 3000
  • IKB10N60T
  • 深圳市中平科技有限公司
  • 赖先生
    0755-83946385
  • INFINEON
  • P-TO-263-3-2
  • 15+
  • 4275000
  • IKB10N60T
  • 深圳市新良宇电子有限公司
  • 李先生
    0755-83237632
  • Infineon Technologies
  • IGBT 600V 20A 110W TO263-3
  • 15+
  • 56912
  • IKB10N60T
  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
  • 销售部经理:马先生
    0755-83350789
  • Infineon Technologies
  • PG-TO-263
  • 15+
  • 25000
  • IKB10N60T
  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
  • 销售经理:马先生
    0755-83350789
  • INFINEON
  • 1213+
  • 8100
  • IKB10N60T
  • 科创特电子(香港)有限公司

  • 0755-83014603
  • INFINEON
  • SOT-263
  • 0939+
  • 11784
  • IKB10N60T
  • 深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
  • 陈小姐
    13428937514
  • inf
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  • 2395
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  • 深圳市创域兴泰电子科技有限公司
  • 程小姐
    18929346643
  • INFINEON
  • TO263
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  • 10