买卖IC网 >> 中文资料第24742页 >> IPB04N03LA(2的OptiMOS电源晶体管)

IPB04N03LA中文资料

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IPB04N03LA参数资料

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  • 参数资料
  • IPB04N03LA
  • 功能描述：MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK；RoHS：否；类别：分离式半导体产品 >> FET - 单；系列：OptiMOS™；标准包装：1,000；系列：MESH OVERLAY™；FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET 特点：逻辑电平门；漏极至源极电压(Vdss)：200V；电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：18A；开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：180 毫欧 @ 9A，10V；Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA；闸电荷(Qg) @ Vgs：72nC @ 10V；输入电容 (Ciss) @ Vds：1560pF @ 25V；功率 - 最大：40W；安装类型：通孔；封装/外壳：TO-220-3 整包；供应商设备封装：TO-220FP；包装：管件；

IPB04N03LA供应商

  • 电子元器件
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  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
  • 廖小姐
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  • IPB04N03LA
  • 深圳市英科美电子有限公司
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  • to-263/d2-pak
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  • IPB04N03LA
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  • IPB04N03LA
  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
  • 何芝
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  • 甄芯网
  • 柯先生/赵小姐
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  • infineon
  • P-TO263-3-2
  • 2011+
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  • IPB04N03LA G
  • 深圳市晶美隆科技有限公司
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  • 李先生
    13760200702
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