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IPB04N03LAG中文资料

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IPB04N03LAG参数资料

  • 电子元器件
  • 参数资料
  • IPB04N03LAG
  • 功能描述：MOSFET N-CH 25 V 80 A；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

IPB04N03LAG供应商

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  • 集好芯城
  • 张育豪 13360528695
    0755-23607487
  • INF
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  • 13+
  • 12000
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  • 中山市翔美达电子科技有限公司
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    15502070655
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  • 深圳市迈的特电子有限公司
  • 陈小姐
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  • 北京天阳诚业科贸有限公司
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  • INF
  • TR 1000 DP LF
  • 1000
  • IPB04N03LAG
  • 深圳市灿顺兴科技有限公司
  • 王先生 ★只 做 原 装★
    18682213510(优秀供应商)
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