买卖IC网 >> 中文资料第24742页 >> IPB05N03LA(2的OptiMOS电源晶体管)

IPB05N03LA中文资料

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IPB05N03LA参数资料

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  • 参数资料
  • IPB05N03LA
  • 功能描述:MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK;RoHS:否;类别:分离式半导体产品 >> FET - 单;系列:OptiMOS™;标准包装:1,000;系列:MESH OVERLAY™;FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物;FET 特点:逻辑电平门;漏极至源极电压(Vdss):200V;电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A;开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V;Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA;闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V;输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V;功率 - 最大:40W;安装类型:通孔;封装/外壳:TO-220-3 整包;供应商设备封装:TO-220FP;包装:管件;

IPB05N03LA供应商

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  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
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  • 中山市翔美达电子科技有限公司
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  • 彭先生
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  • 08+
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  • IPB05N03LA
  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
  • 销售部经理:马先生
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  • Infineon Technologies
  • PG-TO263-3-2
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  • IPB05N03LA
  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
  • 销售经理:马先生
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  • TO-263
  • Infineon
  • 9440
  • IPB05N03LA
  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
  • 何芝
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  • INFINEON
  • TO-263
  • 1314733
  • IPB05N03LA
  • 甄芯网
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