买卖IC网 >> 中文资料第24748页 >> IPD60R600E6(600V的CoolMOS E6功率晶体管)

IPD60R600E6中文资料

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IPD60R600E6参数资料

  • 电子元器件
  • 参数资料
  • IPD60R600E6
  • 功能描述：MOSFET N-CH 650V 7.3A；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

IPD60R600E6供应商

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  • 深圳市英科美电子有限公司
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  • INFINEON
  • TO-252
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  • 深圳市铭万电子有限公司
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  • IPD60R600E6
  • 北京京北通宇电子元件有限公司
  • 吴潇潇
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  • Infineon
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  • IPD60R600E6
  • 北京远洋华创科技有限公司
  • 杨经理
    010-82533545
  • 原厂
  • 原厂封装
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  • IPD60R600E6
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  • 张小姐
    0755-83261213
  • INFINEON
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  • 芯科国际电子有限公司
  • 申小姐
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