IPP60R190E6

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IPP60R190E6参数资料

• 电子元器件
• 参数资料

• IPP60R190E6
• 功能描述：MOSFET N-CH 650V 20.2A；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

IPP60R190E6供应商

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• 彭小姐、刘先生、李小姐
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• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
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  0755-83350789
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• 张小姐/韩先生
  010-86398446-806
• Infineon technologies
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• Infineon technologies
• 2014+
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• 深圳市顺科盛科技有限公司
• 林先生/刘小姐
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