IRF6602

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IRF6602参数资料

• 电子元器件
• 参数资料

• IRF6602
• 功能描述：MOSFET N-CH 20V 11A DIRECTFET；RoHS：否；类别：分离式半导体产品 >> FET - 单；系列：HEXFET®；标准包装：1,000；系列：MESH OVERLAY™；FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET 特点：逻辑电平门；漏极至源极电压(Vdss)：200V；电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：18A；开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：180 毫欧 @ 9A，10V；Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA；闸电荷(Qg) @ Vgs：72nC @ 10V；输入电容 (Ciss) @ Vds：1560pF @ 25V；功率 - 最大：40W；安装类型：通孔；封装/外壳：TO-220-3 整包；供应商设备封装：TO-220FP；包装：管件；

IRF6602供应商

• 电子元器件
• 供应商
• 联系方式
• 品牌
• 封装
• 批号
• 数量

• IRF6602
• 深圳市科思奇电子科技有限公司
• 林小姐/欧阳先生
  0755-83245050
• IR
• MQ
• 2015+
• 24000

• IRF6602
• 深圳市德力诚信科技有限公司
• 王小姐
  13969210552
• International Rectifier
• 标封
• 14+
• 5000

• IRF6602
• 深圳市柏新电子科技有限公司
• 林小姐//方先生
  0755-88377780
• xx
• XX
• 2012+
• 3000

• IRF6602
• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售部经理：马先生
  0755-83350789
• Infineon Technologies Americas Corp.
• DIRECTFET™ MQ
• 15+
• 25000

• IRF6602
• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售经理：马先生
  0755-83350789
• IR
• QFM原盘
• 14+
• 600000

• IRF6602
• 深圳市毅创辉电子科技有限公司
• 何芝
  19129491934(手机优先微信同号)
• IOR
• QFN
• 13+
• 3135

• IRF6602
• 甄芯网
• 柯先生/赵小姐
  0755-83665813
• xx
• XX
• XX
• 3000

• IRF6602TR1
• 深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
• 陈小姐
  13428937514
• IR
• 2014+
• 6207

• IRF6602TRPBF
• 深圳市毅创辉电子科技有限公司
• 何芝
  19129491934(手机优先微信同号)
• IR
• QFN
• 201315+
• 2350

• IRF6602
• 深圳山琅电子科技有限公司
• 山琅电子
  18665358069
• IR
• MQ
• 3912