IRF7353D1PBF

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IRF7353D1PBF参数资料

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• 参数资料

• IRF7353D1PBF
• 功能描述：MOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 32mOhms 22nC；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

IRF7353D1PBF供应商

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• 8-SOIC
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• IRF7353D1PBF
• 深圳市德力诚信科技有限公司
• 王小姐
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• International Rectifier
• 标封
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• 深圳市柏新电子科技有限公司
• 林小姐//方先生
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• 原装IOR
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• IRF7353D1PBF
• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售部经理：马先生
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• 深圳市迈的特电子有限公司
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• 北京创芯润成科技有限公司
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• IRF7353D1PBF
• 深圳市柏新电子有限公司
• 林小姐/方先生
  0755-88377780
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