IRF9Z30PBF

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IRF9Z30PBF参数资料

• 电子元器件
• 参数资料

• IRF9Z30PBF
• 功能描述：MOSFET P-Chan 50V 18 Amp；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

IRF9Z30PBF供应商

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• IRF9Z30PBF
• 深圳市柏新电子科技有限公司
• 林小姐//方先生
  0755-88377780
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• 深圳市华斯顿电子科技有限公司
• 朱咸华
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• 原厂原包装
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• 深圳市英瑞尔电子科技有限公司
• 朱先生
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• I
• TO-220AB
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• IRF9Z30PBF
• 金狮盾科技(香港)国际集团有限公司
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• IRF9Z30PBF
• 深圳山琅电子科技有限公司
• 山琅电子
  18665358069
• IR
• TO-220AB
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• 5419

• IRF9Z30PBF
• 深圳市柏新电子有限公司
• 林小姐/方先生
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• VIR
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