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IRF9Z34NL中文资料

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IRF9Z34NL参数资料

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  • IRF9Z34NL
  • 功能描述:MOSFET P-CH 55V 19A TO-262;RoHS:否;类别:分离式半导体产品 >> FET - 单;系列:HEXFET®;标准包装:1,000;系列:MESH OVERLAY™;FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物;FET 特点:逻辑电平门;漏极至源极电压(Vdss):200V;电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A;开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V;Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA;闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V;输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V;功率 - 最大:40W;安装类型:通孔;封装/外壳:TO-220-3 整包;供应商设备封装:TO-220FP;包装:管件;

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  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
  • 销售部经理:马先生
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  • TO-262
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  • IRF9Z34NL
  • 深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
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