IRF9Z34STRRPBF

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IRF9Z34STRRPBF参数资料

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• IRF9Z34STRRPBF
• 功能描述：MOSFET P-Chan 60V 18 Amp；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

IRF9Z34STRRPBF供应商

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• IRF9Z34STRRPBF
• 甄芯网
• 柯先生/赵小姐
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• IRF9Z34STRRPBF
• 深圳市华斯顿电子科技有限公司
• 朱咸华
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