IRFB11N50APBF

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IRFB11N50APBF参数资料

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• IRFB11N50APBF
• 功能描述：MOSFET N-Chan 500V 11 Amp；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

IRFB11N50APBF供应商

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• 深圳市晶美隆科技有限公司
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• 中山市翔美达电子科技有限公司
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• TO-220AB
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• 深圳市高创鑫电子科技有限公司
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• IRFB11N50APBF
• 深圳市柏新电子科技有限公司
• 林小姐//方先生
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• IR
• TO-220
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• 1

• IRFB11N50APBF
• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售经理：马先生
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• VISHAY
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