IRFB17N20D

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IRFB17N20D参数资料

• 电子元器件
• 参数资料

• IRFB17N20D
• 功能描述：MOSFET N-CH 200V 16A TO-220AB；RoHS：否；类别：分离式半导体产品 >> FET - 单；系列：HEXFET®；标准包装：1,000；系列：MESH OVERLAY™；FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET 特点：逻辑电平门；漏极至源极电压(Vdss)：200V；电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：18A；开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：180 毫欧 @ 9A，10V；Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA；闸电荷(Qg) @ Vgs：72nC @ 10V；输入电容 (Ciss) @ Vds：1560pF @ 25V；功率 - 最大：40W；安装类型：通孔；封装/外壳：TO-220-3 整包；供应商设备封装：TO-220FP；包装：管件；

IRFB17N20D供应商

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• IRFB17N20D
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• 林小姐/欧阳先生
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• 深圳市德力诚信科技有限公司
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• 深圳市柏新电子科技有限公司
• 林小姐//方先生
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• TO-220
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• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售部经理：马先生
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• Infineon Technologies Americas Corp.
• TO-220AB
• 15+
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• IRFB17N20D
• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售经理：马先生
  0755-83350789
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• TO-220
• 05+
• 11000

• IRFB17N20D
• 深圳市毅创辉电子科技有限公司
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  19129491934(手机优先微信同号)
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• 甄芯网
• 柯先生/赵小姐
  0755-83665813
• I
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