IRFB9N60APBF

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IRFB9N60APBF参数资料

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• IRFB9N60APBF
• 功能描述：MOSFET N-Chan 600V 9.2 Amp；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

IRFB9N60APBF供应商

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• 张小姐/Vivianvi
  0755-83286481
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• TO-220AB
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• 深圳市海天鸿电子科技有限公司
• 彭小姐、刘先生、李小姐
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• 深圳市中平科技有限公司
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• 中山市翔美达电子科技有限公司
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• VHY
• TO-220AB
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• 深圳市高创鑫电子科技有限公司
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• Vishay
• TO-220AB
• 15+
• 1024

• IRFB9N60APBF
• 深圳市柏新电子科技有限公司
• 林小姐//方先生
  0755-88377780
• Vishay
• TO-220
• 2012+
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• IRFB9N60APBF
• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售部经理：马先生
  0755-83350789
• Vishay Siliconix
• TO-220AB
• 15+
• 32900