IRFBC40ASTRRPBF

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IRFBC40ASTRRPBF参数资料

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• 参数资料

• IRFBC40ASTRRPBF
• 功能描述：MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

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• 高小蓉
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• VIS
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• IRFBC40ASTRRPBF
• 深圳市亿翁科技有限公司
• 林先生/钟先生
  0755-83533895
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• IRFBC40ASTRRPBF
• 深圳市冠亚达电子有限公司
• 彭先生/孙先生
  0755-83980810
• VIS
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• IRFBC40ASTRRPBF
• 深圳市蓝韵伟业科技有限公司
• 林小姐
  0755-23602589
• IR
• TO-263
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