IRFBC40STRLPBF

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IRFBC40STRLPBF参数资料

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• IRFBC40STRLPBF
• 功能描述：MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

IRFBC40STRLPBF供应商

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• 销售部经理：马先生
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• 深圳市华斯顿电子科技有限公司
• 朱咸华
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• IRFBC40STRLPBF
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• IR
• TO263
• 最新批次
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• IRFBC40STRLPBF
• 深圳市明锐微科技有限公司
• 李先生
  0755-83255012
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• TO-263
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• 37

• IRFBC40STRLPBF
• 深圳市奥捷尔电子科技有限公司
• 杨小姐
  13620995027
• IR
• D2-Pak
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• IRFBC40STRLPBF
• 深圳市信通吉电子有限公司
• 冯
  17841084408
• IR
• TO-263
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