IRFIB6N60APBF

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IRFIB6N60APBF参数资料

• 电子元器件
• 参数资料

• IRFIB6N60APBF
• 功能描述：MOSFET N-Chan 600V 5.5 Amp ；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

IRFIB6N60APBF供应商

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  0755-83286481
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• 深圳市晶美隆科技有限公司
• 李林
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• 深圳市德力诚信科技有限公司
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• 深圳市高创鑫电子科技有限公司
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• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
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• IRFIB6N60APBF
• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售经理：马先生
  0755-83350789
• IR
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• 12000

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• 甄芯网
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• IR
• TO-220F
• 0739P+PB
• 3

• IRFIB6N60APBF
• 深圳市明硅园科技有限公司
• 明硅园-王群
  询价直接加QQ2851388154原装正品
• VISHAY
• TO-220FP
• 14+
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• IRFIB6N60APBF
• 深圳市华斯顿电子科技有限公司
• 朱咸华
  0755-83777708
• VISHAY/IR
• 原厂原包装
• 2015+
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