买卖IC网 >> 中文资料第24844页 >> IRFU9N20D(功率MOSFET（VDSS=200V，RDS（ON）最大值=0.38ohm，ID =输出高达9.4A）)

IRFU9N20D中文资料

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IRFU9N20D参数资料

  • 电子元器件
  • 参数资料
  • IRFU9N20D
  • 功能描述：MOSFET N-CH 200V 9.4A I-PAK；RoHS：否；类别：分离式半导体产品 >> FET - 单；系列：HEXFET®；标准包装：1,000；系列：MESH OVERLAY™；FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET 特点：逻辑电平门；漏极至源极电压(Vdss)：200V；电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：18A；开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：180 毫欧 @ 9A，10V；Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA；闸电荷(Qg) @ Vgs：72nC @ 10V；输入电容 (Ciss) @ Vds：1560pF @ 25V；功率 - 最大：40W；安装类型：通孔；封装/外壳：TO-220-3 整包；供应商设备封装：TO-220FP；包装：管件；

IRFU9N20D供应商

  • 电子元器件
  • 供应商
  • 联系方式
  • 品牌
  • 封装
  • 批号
  • 数量
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  • 深圳市晶美隆科技有限公司
  • 李林
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  • IR
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  • 深圳市湘达电子有限公司
  • 朱平
    0755-83229772-83202753
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  • 北京天阳诚业科贸有限公司
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  • 深圳市德力诚信科技有限公司
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  • International Rectifier
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  • IRFU9N20D
  • 深圳市荣泽信电子科技有限公司
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  • 10000
  • IRFU9N20D
  • 深圳市柏新电子科技有限公司
  • 林小姐//方先生
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  • IR
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  • 2012+
  • 1000
  • IRFU9N20D
  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
  • 销售部经理：马先生
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  • Infineon Technologies Americas Corp.
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  • 15+
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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
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  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
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