IRG4PH20KD
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>> IRG4PH20KD(与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=1200V,的VCE(on)典型值=3.17V,@ VGE=15V,IC=5.0A))
IRG4PH20KD中文资料
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IRG4PH20KD
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=1200V,的VCE(on)典型值=3.17V,@ VGE=15V,IC=5.0A)
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IRG4PH20KDPBF
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=1200V,的VCE(on)典型值=3.17V,@ VGE=15V,IC=5.0A)
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IRG4PH20KPBF
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=1200V,的VCE(on)典型值=3.17V,@ VGE=15V,IC=5.0A)
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IRG4PH30
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=1200V,的VCE(on)典型值=3.17V,@ VGE=15V,IC=5.0A)
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IRG4PH30
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=1200V,的VCE(on)典型值=3.17V,@ VGE=15V,IC=5.0A)
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IRG4PH30K
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=1200V,的VCE(on)典型值=3.17V,@ VGE=15V,IC=5.0A)
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IRG4PH30KD
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=1200V,的VCE(on)典型值=3.17V,@ VGE=15V,IC=5.0A)
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IRG4PH30KDPBF
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=1200V,的VCE(on)典型值=3.17V,@ VGE=15V,IC=5.0A)
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IRG4PH30KPBF
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=1200V,的VCE(on)典型值=3.17V,@ VGE=15V,IC=5.0A)
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IRG4PH40FD
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=1200V,的VCE(on)典型值=3.17V,@ VGE=15V,IC=5.0A)
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IRG4PH40K
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=1200V,的VCE(on)典型值=3.17V,@ VGE=15V,IC=5.0A)
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IRG4PH40KD
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=1200V,的VCE(on)典型值=3.17V,@ VGE=15V,IC=5.0A)
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IRG4PH40KD
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=1200V,的VCE(on)典型值=3.17V,@ VGE=15V,IC=5.0A)
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IRG4PH40KDPBF
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=1200V,的VCE(on)典型值=3.17V,@ VGE=15V,IC=5.0A)
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IRG4PH40KPBF
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=1200V,的VCE(on)典型值=3.17V,@ VGE=15V,IC=5.0A)
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IRG4PH40MD
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=1200V,的VCE(on)典型值=3.17V,@ VGE=15V,IC=5.0A)
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IRG4PH40SD
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=1200V,的VCE(on)典型值=3.17V,@ VGE=15V,IC=5.0A)
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IRG4PH40U
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=1200V,的VCE(on)典型值=3.17V,@ VGE=15V,IC=5.0A)
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IRG4PH40UD
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=1200V,的VCE(on)典型值=3.17V,@ VGE=15V,IC=5.0A)
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IRG4PH40UD
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=1200V,的VCE(on)典型值=3.17V,@ VGE=15V,IC=5.0A)
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IRG4PH40UD2
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=1200V,的VCE(on)典型值=3.17V,@ VGE=15V,IC=5.0A)
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IRG4PH40UD2-E
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=1200V,的VCE(on)典型值=3.17V,@ VGE=15V,IC=5.0A)
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IRG4PH40UD2-EP
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=1200V,的VCE(on)典型值=3.17V,@ VGE=15V,IC=5.0A)
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IRG4PH40UD2PBF
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=1200V,的VCE(on)典型值=3.17V,@ VGE=15V,IC=5.0A)
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IRG4PH40UDPBF
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=1200V,的VCE(on)典型值=3.17V,@ VGE=15V,IC=5.0A)
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IRG4PH40UPBF
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=1200V,的VCE(on)典型值=3.17V,@ VGE=15V,IC=5.0A)
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IRG4PH50
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=1200V,的VCE(on)典型值=3.17V,@ VGE=15V,IC=5.0A)
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IRG4PH50K
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=1200V,的VCE(on)典型值=3.17V,@ VGE=15V,IC=5.0A)
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IRG4PH50KD
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=1200V,的VCE(on)典型值=3.17V,@ VGE=15V,IC=5.0A)
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IRG4PH50KDPBF
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=1200V,的VCE(on)典型值=3.17V,@ VGE=15V,IC=5.0A)
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IRG4PH50KPBF
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=1200V,的VCE(on)典型值=3.17V,@ VGE=15V,IC=5.0A)
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IRG4PH50S
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=1200V,的VCE(on)典型值=3.17V,@ VGE=15V,IC=5.0A)
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IRG4PH50S-EPBF
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=1200V,的VCE(on)典型值=3.17V,@ VGE=15V,IC=5.0A)
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IRG4PH50SPBF
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=1200V,的VCE(on)典型值=3.17V,@ VGE=15V,IC=5.0A)
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IRG4PH50U
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=1200V,的VCE(on)典型值=3.17V,@ VGE=15V,IC=5.0A)
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IRG4PH50U
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=1200V,的VCE(on)典型值=3.17V,@ VGE=15V,IC=5.0A)
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IRG4PH50UD
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=1200V,的VCE(on)典型值=3.17V,@ VGE=15V,IC=5.0A)
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IRG4PH50UD
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=1200V,的VCE(on)典型值=3.17V,@ VGE=15V,IC=5.0A)
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IRG4PH50UDPBF
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=1200V,的VCE(on)典型值=3.17V,@ VGE=15V,IC=5.0A)
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IRG4PH50UPBF
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=1200V,的VCE(on)典型值=3.17V,@ VGE=15V,IC=5.0A)
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IRG4PSC71K
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=1200V,的VCE(on)典型值=3.17V,@ VGE=15V,IC=5.0A)
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IRG4PSC71KD
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=1200V,的VCE(on)典型值=3.17V,@ VGE=15V,IC=5.0A)
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IRG4PSC71KDPBF
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=1200V,的VCE(on)典型值=3.17V,@ VGE=15V,IC=5.0A)
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IRG4PSC71U
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=1200V,的VCE(on)典型值=3.17V,@ VGE=15V,IC=5.0A)
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IRG4PSC71UD
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=1200V,的VCE(on)典型值=3.17V,@ VGE=15V,IC=5.0A)
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IRG4PSC71UDPBF
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=1200V,的VCE(on)典型值=3.17V,@ VGE=15V,IC=5.0A)
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IRG4PSC71UPBF
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=1200V,的VCE(on)典型值=3.17V,@ VGE=15V,IC=5.0A)
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IRG4PSH71
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=1200V,的VCE(on)典型值=3.17V,@ VGE=15V,IC=5.0A)
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IRG4PSH71
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=1200V,的VCE(on)典型值=3.17V,@ VGE=15V,IC=5.0A)
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IRG4PSH71K
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=1200V,的VCE(on)典型值=3.17V,@ VGE=15V,IC=5.0A)
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IRG4PH20KD参数资料
电子元器件
参数资料
IRG4PH20KD
功能描述:IGBT W/DIODE 1200V 11A TO-247AC;RoHS:否;类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路;系列:-;标准包装:30;系列:GenX3™;IGBT 类型:PT;电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V;Vge, Ic时的最大Vce(开):3V @ 15V,100A;电流 - 集电极 (Ic)(最大):200A;功率 - 最大:830W;输入类型:标准;安装类型:通孔;封装/外壳:TO-247-3;供应商设备封装:PLUS247?-3;包装:管件;
IRG4PH20KD供应商
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IRG4PH20KD
深圳市晶美隆科技有限公司
李林
0755-82519391
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TO-247
14+
9531
IRG4PH20KD
深圳市中平科技有限公司
赖先生
0755-83946385
IR-KQ
TO-247
15+
15440
IRG4PH20KD
深圳市科思奇电子科技有限公司
林小姐/欧阳先生
0755-83245050
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2015+
969
IRG4PH20KD
深圳市德力诚信科技有限公司
王小姐
13969210552
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14+
5000
IRG4PH20KD
深圳市柏新电子科技有限公司
林小姐//方先生
0755-88377780
IR
TO-247
2012+
102
IRG4PH20KD
深圳市兴合盛科技发展有限公司
销售部经理:马先生
0755-83350789
Infineon Technologies Americas Corp.
TO-247AC
15+
25000
IRG4PH20KD
深圳市兴合盛科技发展有限公司
销售经理:马先生
0755-83350789
IR
1213+
9500
IRG4PH20KD
深圳市毅创辉电子科技有限公司
何芝
19129491934(手机优先微信同号)
IR
TO-247
13+
5000
IRG4PH20KD
甄芯网
柯先生/赵小姐
0755-83665813
IR
TO-247
09+
102
IRG4PH20KD
深圳市远晨电子有限公司
周小姐/詹小姐
0755-83972258
IR
TO-247
05+
10000
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