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IRGR3B60KD2PBF中文资料

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IRGR3B60KD2PBF参数资料

  • 电子元器件
  • 参数资料
  • IRGR3B60KD2PBF
  • 功能描述:IGBT 晶体管 600V Non Punch Thru Short Cir Ratd IGBT ;RoHS:否;制造商:Fairchild Semiconductor;配置:;集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V;集电极—射极饱和电压:2.3 V;栅极/发射极最大电压:20 V;在25 C的连续集电极电流:150 A;栅极—射极漏泄电流:400 nA;功率耗散:187 W;最大工作温度:;封装 / 箱体:TO-247;封装:Tube;

IRGR3B60KD2PBF供应商

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  • 供应商
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  • 封装
  • 批号
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  • 标准国际(香港)有限公司
  • 朱小姐
    83617149
  • IR
  • 13+
  • 515
  • IRGR3B60KD2PBF
  • 中山市翔美达电子科技有限公司
  • 朱小姐
    15502070655
  • IR
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  • 11+
  • 6000
  • IRGR3B60KD2PBF
  • 深圳市德力诚信科技有限公司
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  • International Rectifier
  • 标封
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  • 北京元坤伟业科技有限公司
  • 刘先生
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  • IR
  • 原厂封装
  • 原厂批号
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  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
  • 销售部经理:马先生
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  • 深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
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  • IR
  • 300
  • IRGR3B60KD2PBF

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  • TO-252
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  • 112380
  • IRGR3B60KD2PBF
  • 深圳市明锐微科技有限公司
  • 李先生
    0755-83255012
  • IR
  • TO-263
  • 12+
  • 29
  • IRGR3B60KD2PBF
  • 深圳市创芯弘科技有限公司
  • (2014年前十佳IC供应商)
    13410000176
  • IR代理
  • IGBT 晶体管
  • 15+原装现货
  • 36980
  • IRGR3B60KD2PBF
  • 深圳市铭万电子有限公司
  • 李洁/廖R
    18919554221
  • IR
  • TO-252
  • 2013
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