买卖IC网 >> 中文资料第25088页 >> ISL9N310AD3(N沟道逻辑电平PWM优化UltraFET沟道功率MOSFET)

ISL9N310AD3中文资料

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ISL9N310AD3参数资料

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  • ISL9N310AD3
  • 功能描述：MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized ；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

ISL9N310AD3供应商

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  • 中山市翔美达电子科技有限公司
  • 朱小姐
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  • FAIRCHILD
  • TO-252
  • 11+
  • 6000
  • ISL9N310AD3ST
  • 北京京北通宇电子元件有限公司
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  • 原厂标准封装
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