买卖IC网 >> 中文资料第34207页 >> NTB5405NT4G(功率MOSFET40 V，116 A单N沟道，D2PAK)

NTB5405NT4G中文资料

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NTB5405NT4G参数资料

  • 电子元器件
  • 参数资料
  • NTB5405NT4G
  • 功能描述：MOSFET NFET 40V 116A PB；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

NTB5405NT4G供应商

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  • ON
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  • 深圳市晶美隆科技有限公司
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  • 标准国际(香港)有限公司
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  • NTB5405NT4G
  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
  • 销售部经理：马先生
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  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
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  • 柯先生/赵小姐
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  • D2-PAK
  • 13+
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  • NTB5405NT4G
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  • 原厂
  • D2PAK/-55~175
  • 13+
  • 8050
  • NTB5405NT4G
  • 深圳市明锐微科技有限公司
  • 李先生
    0755-83255012
  • ON
  • TO-263
  • 12+/13+
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  • NTB5405NT4G
  • 深圳市胜彬电子有限公司
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  • ON
  • TO-263
  • 1413+
  • 7680
  • NTB5405NT4G
  • 深圳市朱博士电子科技有限公司
  • 林先生
    0755-83261372
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