NTD110N02R
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>> NTD110N02R(功率MOSFET)
NTD110N02R中文资料
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NTD110N02R参数资料
电子元器件
参数资料
NTD110N02R
功能描述:MOSFET 24V 110A N-Channel;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;晶体管极性:N-Channel;汲极/源极击穿电压:650 V;闸/源击穿电压:25 V;漏极连续电流:130 A;电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms;配置:Single;最大工作温度:;安装风格:Through Hole;封装 / 箱体:Max247;封装:Tube;
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DPAK 3 (SINGLE GAUGE
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张先生
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NTD110N02R-001
深圳市兴合盛科技发展有限公司
销售部经理:马先生
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