买卖IC网 >> 中文资料第34212页 >> NTD20P06LT4(功率MOSFET-60 V，-15.5 A，单P沟道，DPAK)

NTD20P06LT4中文资料

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NTD20P06LT4参数资料

  • 电子元器件
  • 参数资料
  • NTD20P06LT4
  • 功能描述：MOSFET -60V -15.5A；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

NTD20P06LT4供应商

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