买卖IC网 >> 中文资料第34249页 >> NTGD3148NT1G(功率MOSFET20 V，3.5 A，双N沟道，TSOP-6)

NTGD3148NT1G中文资料

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NTGD3148NT1G参数资料

  • 电子元器件
  • 参数资料
  • NTGD3148NT1G
  • 功能描述：MOSFET NFET 20V 3A 70MOHM TSOP6；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

NTGD3148NT1G供应商

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  • 深圳市奥伟斯科技有限公司
  • 江小姐 ADS触摸芯片一级代理
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  • NTGD3148NT1G
  • 标准国际(香港)有限公司
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  • ON Semiconductor
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  • NTGD3148NT1G
  • 深圳市悦兴晨电子科技有限公司
  • 朱先生
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  • 深圳市明锐微科技有限公司
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