买卖IC网 >> 中文资料第34255页 >> NTHD3100CT3(功率MOSFET20 V，3.9/-4.4 A，互补ChipFET)

NTHD3100CT3中文资料

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NTHD3100CT3参数资料

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  • NTHD3100CT3
  • 功能描述：MOSFET 20V +3.9A/-4.4A；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

NTHD3100CT3供应商

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