NTHS4501NT1G
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>> NTHS4501NT1G(功率MOSFET30 V,6.7 A单N沟道,ChipFET包装)
NTHS4501NT1G中文资料
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NTHS4501NT1G
功率MOSFET30 V,6.7 A单N沟道,ChipFET包装
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功率MOSFET30 V,6.7 A单N沟道,ChipFET包装
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NTHS5404T1
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功率MOSFET30 V,6.7 A单N沟道,ChipFET包装
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NTHS4501NT1G参数资料
电子元器件
参数资料
NTHS4501NT1G
功能描述:MOSFET 30V 6.7A N-Channel;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;晶体管极性:N-Channel;汲极/源极击穿电压:650 V;闸/源击穿电压:25 V;漏极连续电流:130 A;电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms;配置:Single;最大工作温度:;安装风格:Through Hole;封装 / 箱体:Max247;封装:Tube;
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SOT-23-8
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NTHS5445T1
NTHS75680RJ
NTJD1155L
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NTJD116N
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NTJD2152P
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