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NTJD4401NT1G中文资料

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NTJD4401NT1G参数资料

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  • NTJD4401NT1G
  • 功能描述:MOSFET 20V Dual N-Channel ESD Protection;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;晶体管极性:N-Channel;汲极/源极击穿电压:650 V;闸/源击穿电压:25 V;漏极连续电流:130 A;电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms;配置:Single;最大工作温度:;安装风格:Through Hole;封装 / 箱体:Max247;封装:Tube;

NTJD4401NT1G供应商

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  • 集好芯城
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  • 2013+PB
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  • NTJD4401NT1G
  • 集好芯城
  • 陈先生13360533550
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  • ON
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  • 0N
  • SOT-363
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  • 深圳市英科美电子有限公司
  • 张先生
    0755-23903058
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  • 原厂封装
  • 13+
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  • NTJD4401NT1G
  • 标准国际(香港)有限公司
  • 朱小姐
    83617149
  • Onsemi
  • SOT363
  • 2010
  • 24000
  • NTJD4401NT1G
  • 深圳市晶美隆科技有限公司
  • 李林
    0755-82519391
  • ON
  • SOT363
  • 14+
  • 9531
  • NTJD4401NT1G
  • 北京天阳诚业科贸有限公司
  • 洪先生
    17862669251
  • 现货库存,数量价格请加QQ:2850707135
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  • 李先生
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  • ON Semiconductor
  • MOSFET 2N-CH 20V 630MA SOT-363
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