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NTLJD2104PTBG中文资料

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NTLJD2104PTBG参数资料

  • 电子元器件
  • 参数资料
  • NTLJD2104PTBG
  • 功能描述:MOSFET PFET WDFN 12V 90MOHM 3.5A;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;晶体管极性:N-Channel;汲极/源极击穿电压:650 V;闸/源击穿电压:25 V;漏极连续电流:130 A;电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms;配置:Single;最大工作温度:;安装风格:Through Hole;封装 / 箱体:Max247;封装:Tube;

NTLJD2104PTBG供应商

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  • 北京元坤伟业科技有限公司
  • 刘先生
    010-62104931
  • ON
  • 标准封装
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  • NTLJD2104PTBG
  • 北京元坤伟业科技有限公司
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  • 08+
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  • NTLJD2104PTBG
  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
  • 销售部经理:马先生
    0755-83350789
  • ON Semiconductor
  • 6-WDFN(2x2)
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  • NTLJD2104PTBG
  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司
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  • NTLJD2104PTBG
  • 深圳市飞赛思科技有限公司
  • 刘小娥
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  • 11+
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  • NTLJD2104PTBG
  • 深圳市康润达科技有限公司
  • 林树烁
    0755-23956256
  • ON
  • 15+
  • 8700
  • NTLJD2104PTBG
  • 深圳市海天高电子有限公司
  • 梁琳琳
    0755-83268160
  • ON
  • 6-WDFN(2x2)
  • 15+
  • 12000
  • NTLJD2104PTBG
  • 深圳瀚瑞祥科技有限公司
  • 赵小姐
    0755-83215407
  • ON进口原装
  • 原装
  • 14+/15+
  • 12000
  • NTLJD2104PTBG
  • 深圳市恒美威科技有限公司
  • 张小姐/赵小姐
    0755-82767512
  • ON
  • 原厂封装
  • 1145+
  • 12000
  • NTLJD2104PTBG
  • 深圳市海力思半导体有限公司
  • 陈小姐
    0755-82970889
  • ON
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  • 7659