NTLJS4149PTBG
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>> NTLJS4149PTBG(功率MOSFET)
NTLJS4149PTBG中文资料
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NTLJS4149PTBG
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NTLJS4149PTBG参数资料
电子元器件
参数资料
NTLJS4149PTBG
功能描述:MOSFET PFET 2X2 30V 4.6A 60MO;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;晶体管极性:N-Channel;汲极/源极击穿电压:650 V;闸/源击穿电压:25 V;漏极连续电流:130 A;电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms;配置:Single;最大工作温度:;安装风格:Through Hole;封装 / 箱体:Max247;封装:Tube;
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6-WDFN(2x2)
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深圳市中品正光科技有限公司
李丽清
0755-83269536
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vivi
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ON Semiconductor
6-WDFN 裸露焊盘
12+
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