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NTLJS4149PTBG中文资料

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NTLJS4149PTBG参数资料

  • 电子元器件
  • 参数资料
  • NTLJS4149PTBG
  • 功能描述:MOSFET PFET 2X2 30V 4.6A 60MO;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;晶体管极性:N-Channel;汲极/源极击穿电压:650 V;闸/源击穿电压:25 V;漏极连续电流:130 A;电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms;配置:Single;最大工作温度:;安装风格:Through Hole;封装 / 箱体:Max247;封装:Tube;

NTLJS4149PTBG供应商

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  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
  • 销售部经理:马先生
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  • NTLJS4149PTBG
  • 深圳市迈特昇科技有限公司
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  • ON Semi
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  • NTLJS4149PTBG
  • 深圳市中品正光科技有限公司
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