买卖IC网 >> 中文资料第34258页 >> NTLLD4901NFTWG(双N沟道功率MOSFET集成肖特基)

NTLLD4901NFTWG中文资料

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NTLLD4901NFTWG参数资料

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  • NTLLD4901NFTWG
  • 功能描述:MOSFET;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;晶体管极性:N-Channel;汲极/源极击穿电压:650 V;闸/源击穿电压:25 V;漏极连续电流:130 A;电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms;配置:Single;最大工作温度:;安装风格:Through Hole;封装 / 箱体:Max247;封装:Tube;

NTLLD4901NFTWG供应商

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