买卖IC网 >> 中文资料第34259页 >> NTMD2C02R2G(功率MOSFET2安培,20伏)

NTMD2C02R2G中文资料

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NTMD2C02R2G参数资料

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  • NTMD2C02R2G
  • 功能描述:MOSFET 20V 5.2A Complementary;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;晶体管极性:N-Channel;汲极/源极击穿电压:650 V;闸/源击穿电压:25 V;漏极连续电流:130 A;电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms;配置:Single;最大工作温度:;安装风格:Through Hole;封装 / 箱体:Max247;封装:Tube;

NTMD2C02R2G供应商

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