买卖IC网 >> 中文资料第34259页 >> NTMD3P03R2G(功率MOSFET-3.05安培，伏特-30)

NTMD3P03R2G中文资料

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NTMD3P03R2G参数资料

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  • 参数资料
  • NTMD3P03R2G
  • 功能描述：MOSFET 30V 3.05A P-Channel；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

NTMD3P03R2G供应商

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  • NTMD3P03R2G
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  • 中山市翔美达电子科技有限公司
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  • 深圳市荣泽信电子科技有限公司
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  • 深圳市华夏芯科技有限公司
  • 赵小姐
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  • ON SEMICONDUCTOR
  • 原装标准封装
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  • NTMD3P03R2G
  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司
  • 朱咸华
    0755-83777708
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