买卖IC网 >> 中文资料第34259页 >> NTMD6N02R2(功率MOSFET6.0安培,20伏)

NTMD6N02R2中文资料

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NTMD6N02R2参数资料

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  • NTMD6N02R2
  • 功能描述:MOSFET 20V 6A N-Channel;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;晶体管极性:N-Channel;汲极/源极击穿电压:650 V;闸/源击穿电压:25 V;漏极连续电流:130 A;电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms;配置:Single;最大工作温度:;安装风格:Through Hole;封装 / 箱体:Max247;封装:Tube;

NTMD6N02R2供应商

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  • 深圳市荣泽信电子科技有限公司
  • 荣泽信-晏S
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  • NTMD6N02R2G
  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
  • 销售部经理:马先生
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  • ON Semiconductor
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  • 195650
  • NTMD6N02R2G
  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
  • 王金英
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  • 8000