买卖IC网 >> 中文资料第34259页 >> NTMFS4708NT1G(功率MOSFET30 V，19 A单N沟道，SOIC-8 FL)

NTMFS4708NT1G中文资料

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NTMFS4708NT1G参数资料

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  • NTMFS4708NT1G
  • 功能描述：MOSFET 30V 19A N-Channel；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

NTMFS4708NT1G供应商

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  • NTMFS4708NT1G
  • 深圳市远晨电子有限公司
  • 周小姐/詹小姐
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  • ON
  • QFN
  • 2006+
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  • 中山市横栏镇伟一电子产品销售中心
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