买卖IC网 >> 中文资料第34260页 >> NTMFS4897NFT3G(功率MOSFET30 V,171 A单N沟道,SO-8 FL)

NTMFS4897NFT3G中文资料

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NTMFS4897NFT3G参数资料

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  • 参数资料
  • NTMFS4897NFT3G
  • 功能描述:MOSFET NFET SO8FL 30V 191A 2MOHM;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;晶体管极性:N-Channel;汲极/源极击穿电压:650 V;闸/源击穿电压:25 V;漏极连续电流:130 A;电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms;配置:Single;最大工作温度:;安装风格:Through Hole;封装 / 箱体:Max247;封装:Tube;

NTMFS4897NFT3G供应商

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  • 封装
  • 批号
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  • 深圳市英科美电子有限公司
  • 张先生
    0755-23903058
  • ON
  • SO-8FL
  • 13+
  • 16800
  • NTMFS4897NFT3G
  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
  • 销售部经理:马先生
    0755-83350789
  • ON Semiconductor
  • 5-DFN,8-SO 扁引线(5x6)
  • 15+
  • 25000
  • NTMFS4897NFT3G

  • ON
  • SO-8FL
  • 最新批次
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  • 李先生
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  • 1185
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  • 深圳市赛恒电子科技有限公司
  • 曾先生,张小姐
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  • HITACHI
  • SOJ
  • 2014+PB
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  • 深圳市禾木达科技有限公司
  • 张小姐
    0755-83261213
  • ON
  • SO-8FL
  • 1530+
  • 2836
  • NTMFS4897NFT3G
  • 深圳市宝隆宏业科技有限公司
  • 制三部张经理
    0755-83157481
  • ON
  • SO-8FL
  • 13+
  • 12000
  • NTMFS4897NFT3G
  • 益辉科技香港有限公司
  • 叶欣
    0755-83031949
  • ON
  • SO-8FL
  • 2011
  • 1185
  • NTMFS4897NFT3G
  • 深圳市和谐世家电子有限公司
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  • ON
  • DFN5
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