买卖IC网 >> 中文资料第34261页 >> NTMS4704NR2(功率MOSFET30 V，12.3 A单N沟道，SO-8)

NTMS4704NR2中文资料

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NTMS4704NR2参数资料

  • 电子元器件
  • 参数资料
  • NTMS4704NR2
  • 功能描述：MOSFET 30V 12.3A N-Channel；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

NTMS4704NR2供应商

  • 电子元器件
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  • NTMS4704NR2
  • 北京元坤伟业科技有限公司
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