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NTR1P02T3G中文资料

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NTR1P02T3G参数资料

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  • NTR1P02T3G
  • 功能描述:MOSFET -20V -1A P-Channel;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;晶体管极性:N-Channel;汲极/源极击穿电压:650 V;闸/源击穿电压:25 V;漏极连续电流:130 A;电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms;配置:Single;最大工作温度:;安装风格:Through Hole;封装 / 箱体:Max247;封装:Tube;

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  • NTR1P02T3G
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  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
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    0755-83350789
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  • ONSEMI
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  • 3004
  • NTR1P02T3G
  • 深圳市瑞祺芯科技有限公司
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  • 0N
  • SOT-23
  • 14+
  • 12000
  • NTR1P02T3G

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  • SOT-23
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  • 112380
  • NTR1P02T3G
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  • ONSEMI
  • SOT23-3
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  • NTR1P02T3G
  • 深圳市中联芯电子有限公司
  • 张生(可开票)
    13714879722
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  • SOT23-3
  • 15+
  • 56723
  • NTR1P02T3G
  • 深圳市亿力科技有限公司
  • 柯先生
    0755-83980422
  • ON
  • SOT-23
  • 2015+ROSH
  • 63000
  • NTR1P02T3G
  • 深圳市英瑞尔电子科技有限公司
  • 朱先生
    0755-82811605
  • O
  • SOT-23
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  • 25000