买卖IC网 >> 中文资料第34264页 >> NTR3162PT3G(功率MOSFET-20 V，-3.6 A，单P通道，SOT-23)

NTR3162PT3G中文资料

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NTR3162PT3G参数资料

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  • 参数资料
  • NTR3162PT3G
  • 功能描述：MOSFET PFET SOT23 20V TR；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

NTR3162PT3G供应商

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  • 集好芯城
  • 陈先生13360533550
    0755-83867989
  • ONSEMI
  • SOT23-3
  • 14+PB
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  • NTR3162PT3G
  • 北京元坤伟业科技有限公司
  • 刘先生
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