买卖IC网 >> 中文资料第38134页 >> RFD10P03L(10A，30V，0.200W，逻辑电平P沟道功率MOSFET)

RFD10P03L中文资料

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RFD10P03L参数资料

  • 电子元器件
  • 参数资料
  • RFD10P03L
  • 功能描述：MOSFET TO-251 P-Ch Power ；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

RFD10P03L供应商

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  • 江小姐 ADS触摸芯片一级代理
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  • FAIRCHILD
  • SOT-252
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  • HARRIS
  • TO252
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  • HARRIS
  • TO-3P
  • 11+
  • 6000
  • RFD10P03L
  • 深圳市时兴宇电子有限公司
  • 彭先生
    0755-83041559
  • 11+
  • 8800
  • RFD10P03L
  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
  • 何芝
    19129491934(手机优先微信同号)
  • HARRIS
  • TO-252
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  • 2500
  • RFD10P03L
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  • HARRIS
  • TO-252
  • 2011+
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  • RFD10P03L
  • 深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
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  • 123
  • 18580
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  • INTERSIL
  • 08+
  • 15000
  • RFD10P03LSM
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  • 柯先生/赵小姐
    0755-83665813
  • ◤优势◥FAI
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  • 45000
  • RFD10P03LSM
  • 深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
  • 陈小姐
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