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RFD3055LE中文资料

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RFD3055LE参数资料

  • 电子元器件
  • 参数资料
  • RFD3055LE
  • 功能描述:MOSFET TO-251AA N-Ch Power;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;晶体管极性:N-Channel;汲极/源极击穿电压:650 V;闸/源击穿电压:25 V;漏极连续电流:130 A;电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms;配置:Single;最大工作温度:;安装风格:Through Hole;封装 / 箱体:Max247;封装:Tube;

RFD3055LE供应商

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  • RFD3055LE
  • 深圳市海天鸿电子科技有限公司
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  • 深圳市时兴宇电子有限公司
  • 彭先生
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  • INTERSIL
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  • RFD3055LE
  • 深圳市荣泽信电子科技有限公司
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