买卖IC网 >> 中文资料第48794页 >> ZXMN10A08G(100V SOT223 N沟道增强型MOSFET)

ZXMN10A08G中文资料

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ZXMN10A08G参数资料

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  • ZXMN10A08G
  • 功能描述:MOSFET N-CHAN 100V SOT223;RoHS:是;类别:分离式半导体产品 >> FET - 单;系列:-;标准包装:1,000;系列:MESH OVERLAY™;FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物;FET 特点:逻辑电平门;漏极至源极电压(Vdss):200V;电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A;开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V;Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA;闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V;输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V;功率 - 最大:40W;安装类型:通孔;封装/外壳:TO-220-3 整包;供应商设备封装:TO-220FP;包装:管件;

ZXMN10A08G供应商

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  • 销售经理:马先生
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