ZXMN3A03E6TA
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>> ZXMN3A03E6TA(30V N沟道增强型MOSFET)
ZXMN3A03E6TA中文资料
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ZXMN3A03E6TA
30V N沟道增强型MOSFET
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30V N沟道增强型MOSFET
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30V N沟道增强型MOSFET
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ZXMN3A03E6TA参数资料
电子元器件
参数资料
ZXMN3A03E6TA
功能描述:MOSFET 30V N Chnl UMOS;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;晶体管极性:N-Channel;汲极/源极击穿电压:650 V;闸/源击穿电压:25 V;漏极连续电流:130 A;电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms;配置:Single;最大工作温度:;安装风格:Through Hole;封装 / 箱体:Max247;封装:Tube;
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朱平
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