IDT71V35761SA200BQI

IDT71V35761SA200BQI中文资料

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• IDT71V35761SA200BQI
• 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect
• IDT
  Integrated Device Technology
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IDT71V35761SA200BQI参数资料

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• IDT71V35761SA200BQI
• 功能描述：IC SRAM 4MBIT 200MHZ 165FBGA；RoHS：否；类别：集成电路 (IC) >> 存储器；系列：-；标准包装：576；系列：-；格式 - 存储器：闪存；存储器类型：闪存 - NAND；存储容量：512M（64M x 8）；速度：-；接口：并联；电源电压：2.7 V ~ 3.6 V；工作温度：-40°C ~ 85°C；封装/外壳：48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）；供应商设备封装：48-TSOP；包装：托盘；其它名称：497-5040；

IDT71V35761SA200BQI供应商

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• 深圳市毅创辉电子科技有限公司
• 谭玉丽
  19129491949(手机优先
• IDT, Integrated Device Technology Inc
• 165-TBGA
• 12+
• 10001

• IDT71V35761SA200BQI
• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售部：马先生
  0755-83350789
• IDT, Integrated Device Technology Inc
• 165-TBGA
• 15+
• 180018

• IDT71V35761SA200BQI8
• 深圳市毅创辉电子科技有限公司
• 谭玉丽
  19129491949(手机优先
• IDT, Integrated Device Technology Inc
• 165-TBGA
• 12+
• 10001

• IDT71V35761SA200BQI8
• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售部：马先生
  0755-83350789
• IDT, Integrated Device Technology Inc
• 165-TBGA
• 15+
• 180018

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• 深圳市一线半导体有限公司
• 谢S/曾S/钟S陈S/张S/刘S
  0755-88608801
• IDT, Integrated Device Technology Inc
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• IDT71V35761SA200BQI
• 深圳市世联芯科技有限公司
• 蔡小姐
  18824247340
• IDT, Integrated Device Technology Inc
• 165-TBGA
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• 10001

• IDT71V35761SA200BQI
• 深圳市明硅园科技有限公司
• 明硅园-廖小姐
  0755-83211108原装正品
• IDT, Integrated Device Technology Inc
• 165-CABGA (13x15)
• 518

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• 深圳市洪芯洪科技有限公司
• 曹小姐
  0755-22212047
• IDT, Integrated Device Technology Inc
• 165-TBGA
• 13+
• 6500

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• 深圳市嘉联创科技有限公司
• 陆先生/李先生/肖先生
  0755-28483585
• IDT
• 原厂标准封装
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• IDT71V35761SA200BQI
• 深圳市迦南电子有限公司
• 周先生
  0755-83958050
• IDT
• 165-CABGA (13x15)
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