IPD60R750E6

IPD60R750E6中文资料

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• IPD60R750E6
• 600V CoolMOS E6 Power Transistor
• INFINEON
  Infineon Technologies AG
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IPD60R750E6参数资料

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• 参数资料

• IPD60R750E6
• 功能描述：MOSFET N-CH 650V 5.7A；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

IPD60R750E6供应商

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• IPD60R750E6
• 集好芯城
• 张育豪 13360528695
  0755-23607487
• INF
• TO-252
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  0755-83286481
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• 张
  18724450645
• INFINEON
• 14+
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  0755-23903058
• Infineon
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• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售部经理：马先生
  0755-83350789
• Infineon Technologies
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• IPD60R750E6
• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售经理：马先生
  0755-83350789
• INF
• 14+
• 5000

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• 深圳市毅创辉电子科技有限公司
• 何芝
  19129491934(手机优先微信同号)
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• TO-252
• 13+
• 3500

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• 深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
• 陈小姐
  13428937514
• Infineon technologies
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• IPD60R750E6
• 深圳市远晨电子有限公司
• 周小姐/詹小姐
  0755-83972258
• Infineon technologies
• 11+
• 20000

• IPD60R750E6ATMA1
• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售部经理：马先生
  0755-83350789
• Infineon Technologies
• PG-TO252-3
• 15+
• 25000