IPP60R600E6

IPP60R600E6中文资料

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• IPP60R600E6
• 600V CoolMOS E6 Power Transistor
• INFINEON
  Infineon Technologies AG
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IPP60R600E6参数资料

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• IPP60R600E6
• 功能描述：MOSFET N-CH 650V 7.3A ；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

IPP60R600E6供应商

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• 深圳市英科美电子有限公司
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  0755-23903058
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• 深圳市毅创辉电子科技有限公司
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• 深圳市远晨电子有限公司
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• 北京京北通宇电子元件有限公司
• 祁志明
  16605347030
• Infineon Technologies
• 原装正品
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• 北京远洋华创科技有限公司
• 杨经理
  010-82533545
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• 17961

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• 深圳市创达佳科技有限公司
• 袁R
  19925423429
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• 芯科国际电子有限公司
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  0755-83330991
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• 深圳市海瑞安科技有限公司
• 李先生 肖小姐
  0755-83958402
• Infineon
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• 2016
• 28000

• IPP60R600E6
• 深圳市恒腾龙科技有限公司
• 陈先生
  0755-61337701
• INFINEON
• TO-220
• 15+
• 21582