IRF6691

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• IRF6691
• HEXFET Power MOSFET plus Schottky Diode
• IRF
  International Rectifier
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IRF6691参数资料

• 电子元器件
• 参数资料

• IRF6691
• 功能描述：MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 1.8mOhms 47nC；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

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  18724450645
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• 深圳市德力诚信科技有限公司
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• IRF6691
• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售经理：马先生
  0755-83350789
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• 深圳市毅创辉电子科技有限公司
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• 管装/盘装
• 2012+
• 150000

• IRF66911
• 深圳市毅创辉电子科技有限公司
• 何芝
  19129491934(手机优先微信同号)
• IR
• ROHS
• 201315+
• 2350

• IRF6691PBF
• 北京元坤伟业科技有限公司
• 刘先生
  010-62104931
• IOR
• DIRECTFET
• 2007
• 4000