IRF7832PBF

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• IRF7832PBF
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IRF7832PBF参数资料

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• IRF7832PBF
• 功能描述：MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 34nC；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

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  83617149
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• 489

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• 彭小姐、刘先生、李小姐
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• 8-SOIC
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• 深圳市德力诚信科技有限公司
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• 深圳市德力诚信科技有限公司
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  13969210552
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• 北京天阳诚业科贸有限公司
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  17862669251
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• N/A
• 149895

• IRF7832PBF
• 北京京北通宇电子元件有限公司
• 张
  18724450645
• INTERNATIONAL RECTIFIER
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• 25000

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• 北京杰创宏达电子有限公司
• 沈小姐/伊小姐/张先生
  010-61190909
• 原厂原装
• SO-8
• 15+
• 2500