IRG4BC10SD

IRG4BC10SD中文资料

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• IRG4BC10SD
• INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
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• INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.10V, @Vge=15V, Ic=2.0A)
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  International Rectifier
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• IRG4BC10SD-L
• INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
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• INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
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• INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
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• IRG4BC10SD-S
• INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.10V, @Vge=15V, Ic=2.0A)
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IRG4BC10SD参数资料

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• IRG4BC10SD
• 功能描述：IGBT UFAST 600V 14.0A TO-220AB；RoHS：否；类别：分离式半导体产品 >> IGBT - 单路；系列：-；标准包装：30；系列：GenX3™；IGBT 类型：PT；电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V；Vge, Ic时的最大Vce（开）：3V @ 15V，100A；电流 - 集电极 (Ic)（最大）：200A；功率 - 最大：830W；输入类型：标准；安装类型：通孔；封装/外壳：TO-247-3；供应商设备封装：PLUS247?-3；包装：管件；

IRG4BC10SD供应商

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• IRG4BC10SD
• 深圳市晶美隆科技有限公司
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  0755-82519391
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• TO-220
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• 9531

• IRG4BC10SD
• 深圳市中平科技有限公司
• 赖先生
  0755-83946385
• IR
• TO-220
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• 19875

• IRG4BC10SD
• 深圳市德力诚信科技有限公司
• 王小姐
  13969210552
• International Rectifier
• 标封
• 14+
• 5000

• IRG4BC10SD
• 深圳市柏新电子科技有限公司
• 林小姐//方先生
  0755-88377780
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• TO-220
• 2012+
• 1000

• IRG4BC10SD
• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售部经理：马先生
  0755-83350789
• Infineon Technologies Americas Corp.
• TO-220AB
• 15+
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• IRG4BC10SD
• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售经理：马先生
  0755-83350789
• IR
• 1213+
• 9500

• IRG4BC10SD
• 深圳市亚泰盈科电子有限公司
• 郑小姐
  15338868823
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• IRG4BC10SD
• 甄芯网
• 柯先生/赵小姐
  0755-83665813
• IR
• TO-220
• 08+
• 2039

• IRG4BC10SDL
• 中山市翔美达电子科技有限公司
• 朱小姐
  15502070655
• IR
• TO-263/D2-PAK
• 11+
• 6000

• IRG4BC10SDL
• 北京元坤伟业科技有限公司
• 刘先生
  010-62104931
• 原厂品牌
• 标准封装
• 09/10+
• 3000